RS1P600BHTB1
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RS1P600BHTB1 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.96 |
10+ | $2.656 |
100+ | $2.1765 |
500+ | $1.8528 |
1000+ | $1.5626 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 35W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4080 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 60A (Tc) |
Grundproduktnummer | RS1P |
VISHAY DO-220AA(
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
VISHAY DO-220A(SMP)
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
SHEAR,RUG,OFFSET HDL,SHARP PT
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
RS1M_NL FAIRCHI
PANJIT DO-214ACSMA
2024/07/2
2024/07/4
2024/08/25
2024/03/25
RS1P600BHTB1Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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